TK80S04K3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK80S04K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK80S04K3L

TK80S04K3L Datasheet (PDF)

..1. Size:279K toshiba
tk80s04k3l.pdf

TK80S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

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TK80S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

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Liste

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