Справочник MOSFET. TK80S04K3L

 

TK80S04K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK80S04K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80S04K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  toshiba
 tk80s04k3l.pdf pdf_icon

TK80S04K3L

TK80S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

 8.1. Size:238K  toshiba
 tk80s06k3l.pdf pdf_icon

TK80S04K3L

TK80S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXTH130N15T | SSP80R1K3S | KTJ6164S | KNB3508A | TF2301 | RFT3055LE | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.