TK80S04K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK80S04K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK80S04K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80S04K3L даташит

 ..1. Size:279K  toshiba
 tk80s04k3l.pdf pdf_icon

TK80S04K3L

TK80S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80S04K3L TK80S04K3L TK80S04K3L TK80S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

 8.1. Size:238K  toshiba
 tk80s06k3l.pdf pdf_icon

TK80S04K3L

TK80S06K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80S06K3L TK80S06K3L TK80S06K3L TK80S06K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Другие IGBT... TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, 2SK3878, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D