TK8A10K3 Todos los transistores

 

TK8A10K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK8A10K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

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TK8A10K3 Datasheet (PDF)

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TK8A10K3

TK8A10K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS) TK8A10K3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 90 m (typ.) Unit: mm Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

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History: SI6443DQ | IRL3705ZSPBF | JFPC18N65C | NCEP30T13GU | NTP095N65S3HF | SSP80R380S2 | SJMN099R65SW

 

 
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