TK8A10K3 Todos los transistores

 

TK8A10K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK8A10K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

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TK8A10K3 Datasheet (PDF)

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TK8A10K3

TK8A10K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS) TK8A10K3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 90 m (typ.) Unit: mm Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

Otros transistores... TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L , TK80S06K3L , TK80X04K3 , K4145 , TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D .

History: WML14N70C4 | BSG0811ND | SI4477DY | ZXMS6002G | SM4372NSKP | SWD15P02 | WSD30L40DN

 

 
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