Справочник MOSFET. TK8A10K3

 

TK8A10K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8A10K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A10K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  toshiba
 tk8a10k3.pdf pdf_icon

TK8A10K3

TK8A10K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS) TK8A10K3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 90 m (typ.) Unit: mm Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

Другие MOSFET... TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L , TK80S06K3L , TK80X04K3 , IRF1010E , TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D .

 

 
Back to Top

 


 
.