TK8A10K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK8A10K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK8A10K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A10K3 даташит

 ..1. Size:203K  toshiba
 tk8a10k3.pdf pdf_icon

TK8A10K3

TK8A10K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) TK8A10K3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 90 m (typ.) Unit mm Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-model Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol

Другие IGBT... TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, IRF9540N, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D