Справочник MOSFET. TK8A10K3

 

TK8A10K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8A10K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A10K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  toshiba
 tk8a10k3.pdf pdf_icon

TK8A10K3

TK8A10K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS) TK8A10K3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 90 m (typ.) Unit: mm Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SFF340Z | HM4407 | IPD50R280CE | P1610AD | STD5N62K3 | TK55S10N1 | 2SK1699

 

 
Back to Top

 


 
.