TK8A25DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK8A25DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK8A25DA

TK8A25DA Datasheet (PDF)

..1. Size:233K toshiba
tk8a25da.pdf

TK8A25DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK8A25DATK8A25DATK8A25DATK8A25DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.41 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth =

..2. Size:252K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK8A25DAITK8A25DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.41 (typ.)Enhancement mode:Vth = 1.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: