TK8A25DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK8A25DA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TK8A25DA datasheet

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TK8A25DA

TK8A25DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK8A25DA TK8A25DA TK8A25DA TK8A25DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.41 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V) (3) Enhancement mode Vth =

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TK8A25DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK8A25DA ITK8A25DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.41 (typ.) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3, IRF4905, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, TK8P25DA