TK8A25DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK8A25DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK8A25DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A25DA даташит

 ..1. Size:233K  toshiba
 tk8a25da.pdf pdf_icon

TK8A25DA

TK8A25DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK8A25DA TK8A25DA TK8A25DA TK8A25DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.41 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V) (3) Enhancement mode Vth =

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk8a25da.pdf pdf_icon

TK8A25DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK8A25DA ITK8A25DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.41 (typ.) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3, IRF4905, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, TK8P25DA