Справочник MOSFET. TK8A25DA

 

TK8A25DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8A25DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK8A25DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A25DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  toshiba
 tk8a25da.pdf pdf_icon

TK8A25DA

TK8A25DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK8A25DATK8A25DATK8A25DATK8A25DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.41 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk8a25da.pdf pdf_icon

TK8A25DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK8A25DAITK8A25DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.41 (typ.)Enhancement mode:Vth = 1.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L , TK80S06K3L , TK80X04K3 , TK8A10K3 , IRF4905 , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D , TK8P25DA .

 

 
Back to Top

 


 
.