TK8P25DA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK8P25DA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: DPAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TK8P25DA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TK8P25DA datasheet

 ..1. Size:230K  toshiba
tk8p25da.pdf pdf_icon

TK8P25DA

TK8P25DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK8P25DA TK8P25DA TK8P25DA TK8P25DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.41 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V) (3) Enhancement mode Vth =

Otros transistores... TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, P55NF06, TK8S06K3L, TK9A45D, TK9A55DA, TK9A60D, TPC6008-H, TPC6009-H, TPC6010-H, TPC6011