Справочник MOSFET. TK8P25DA

 

TK8P25DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8P25DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8P25DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  toshiba
 tk8p25da.pdf pdf_icon

TK8P25DA

TK8P25DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK8P25DATK8P25DATK8P25DATK8P25DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.41 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Другие MOSFET... TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D , IRFB3607 , TK8S06K3L , TK9A45D , TK9A55DA , TK9A60D , TPC6008-H , TPC6009-H , TPC6010-H , TPC6011 .

History: PTP11N40

 

 
Back to Top

 


 
.