Справочник MOSFET. TK8P25DA

 

TK8P25DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8P25DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8P25DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  toshiba
 tk8p25da.pdf pdf_icon

TK8P25DA

TK8P25DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK8P25DATK8P25DATK8P25DATK8P25DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.41 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AUIRFR6215 | SIHG47N60S | FDZ1416NZ | 9N95 | NTMFS5C410NT3G | AP02N70EI-HF | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.