TK8S06K3L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TK8S06K3L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK8S06K3L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK8S06K3L datasheet

..1. Size:238K toshiba
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TK8S06K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK8S06K3L TK8S06K3L TK8S06K3L TK8S06K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 43 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS

..2. Size:847K cn vbsemi
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TK8S06K3L www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.085 at VGS = 4.5 V 13.2 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters

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