TK8S06K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK8S06K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK8S06K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8S06K3L даташит

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk8s06k3l.pdf pdf_icon

TK8S06K3L

TK8S06K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK8S06K3L TK8S06K3L TK8S06K3L TK8S06K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 43 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS

 ..2. Size:847K  cn vbsemi
 tk8s06k3l.pdf pdf_icon

TK8S06K3L

TK8S06K3L www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.085 at VGS = 4.5 V 13.2 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters

Другие IGBT... TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, TK8P25DA, 13N50, TK9A45D, TK9A55DA, TK9A60D, TPC6008-H, TPC6009-H, TPC6010-H, TPC6011, TPC6012