Справочник MOSFET. TK8S06K3L

 

TK8S06K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8S06K3L
   Маркировка: K8S06K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK8S06K3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8S06K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk8s06k3l.pdf pdf_icon

TK8S06K3L

TK8S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK8S06K3LTK8S06K3LTK8S06K3LTK8S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS

 ..2. Size:847K  cn vbsemi
 tk8s06k3l.pdf pdf_icon

TK8S06K3L

TK8S06K3Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

Другие MOSFET... TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D , TK8P25DA , TK10A60D , TK9A45D , TK9A55DA , TK9A60D , TPC6008-H , TPC6009-H , TPC6010-H , TPC6011 , TPC6012 .

 

 
Back to Top

 


 
.