TK9A45D Todos los transistores

 

TK9A45D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK9A45D
   Código: K9A45D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

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TK9A45D Datasheet (PDF)

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TK9A45D

TK9A45D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A45D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.63 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode: V

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