TK9A45D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK9A45D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK9A45D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9A45D даташит

 ..1. Size:211K  toshiba
 tk9a45d.pdf pdf_icon

TK9A45D

TK9A45D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK9A45D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.63 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode V

Другие IGBT... TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, TK8P25DA, TK8S06K3L, AON7410, TK9A55DA, TK9A60D, TPC6008-H, TPC6009-H, TPC6010-H, TPC6011, TPC6012, TPC6103