Справочник MOSFET. TK9A45D

 

TK9A45D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK9A45D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK9A45D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9A45D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  toshiba
 tk9a45d.pdf pdf_icon

TK9A45D

TK9A45D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A45D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.63 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode: V

Другие MOSFET... TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D , TK8P25DA , TK8S06K3L , RFP50N06 , TK9A55DA , TK9A60D , TPC6008-H , TPC6009-H , TPC6010-H , TPC6011 , TPC6012 , TPC6103 .

History: RCJ700N20

 

 
Back to Top

 


 
.