TK9A55DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK9A55DA
Código: K9A55DA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.86 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SIS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK9A55DA
TK9A55DA Datasheet (PDF)
tk9a55da.pdf
TK9A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.68 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.7 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mod
tk9a55da.pdf
INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A55DAITK9A55DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.68 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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History: BF1205
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