TK9A55DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK9A55DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.86 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK9A55DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9A55DA даташит

 ..1. Size:192K  toshiba
 tk9a55da.pdf pdf_icon

TK9A55DA

TK9A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK9A55DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.68 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.7 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mod

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk9a55da.pdf pdf_icon

TK9A55DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK9A55DA ITK9A55DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.68 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, TK8P25DA, TK8S06K3L, TK9A45D, 12N60, TK9A60D, TPC6008-H, TPC6009-H, TPC6010-H, TPC6011, TPC6012, TPC6103, TPC6109-H