TK9A55DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK9A55DA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.86 Ohm
Тип корпуса: TO220SIS
Аналог (замена) для TK9A55DA
TK9A55DA Datasheet (PDF)
tk9a55da.pdf

TK9A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.68 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.7 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mod
tk9a55da.pdf

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A55DAITK9A55DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.68 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие MOSFET... TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D , TK8P25DA , TK8S06K3L , TK9A45D , 4N60 , TK9A60D , TPC6008-H , TPC6009-H , TPC6010-H , TPC6011 , TPC6012 , TPC6103 , TPC6109-H .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor