Справочник MOSFET. TK9A55DA

 

TK9A55DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK9A55DA
   Маркировка: K9A55DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.86 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS

 Аналог (замена) для TK9A55DA

 

 

TK9A55DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  toshiba
 tk9a55da.pdf

TK9A55DA TK9A55DA

TK9A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.68 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.7 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mod

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk9a55da.pdf

TK9A55DA TK9A55DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A55DAITK9A55DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.68 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top