Справочник MOSFET. TK9A55DA

 

TK9A55DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK9A55DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.86 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9A55DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  toshiba
 tk9a55da.pdf pdf_icon

TK9A55DA

TK9A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.68 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.7 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mod

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk9a55da.pdf pdf_icon

TK9A55DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A55DAITK9A55DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.68 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA , TK8A60DA , TK8A65D , TK8P25DA , TK8S06K3L , TK9A45D , 4N60 , TK9A60D , TPC6008-H , TPC6009-H , TPC6010-H , TPC6011 , TPC6012 , TPC6103 , TPC6109-H .

History: HRLF190N03K

 

 
Back to Top

 


 
.