2SK1530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK1530 MOSFET
2SK1530 Datasheet (PDF)
2sk1530.pdf

2SK1530 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1530 Unit: mmHigh-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 200 VGate-source voltage VGSS 20 V
Otros transistores... 2SJ669 , 2SJ676 , 2SK1119 , 2SK1120 , 2SK1381 , 2SK1382 , 2SK1486 , 2SK1529 , P0903BDG , 2SK1544 , 2SK1930 , 2SK2013 , 2SK2162 , 2SK2173 , 2SK2200 , 2SK2201 , 2SK2229 .
History: S-LBSS84LT1G | TPCC8064-H | PHP83N03LT | BLF1043 | AP6N6R5P | MP7AN65EV | DMG4N60SK3
History: S-LBSS84LT1G | TPCC8064-H | PHP83N03LT | BLF1043 | AP6N6R5P | MP7AN65EV | DMG4N60SK3



Liste
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