2SK1530 Todos los transistores

 

2SK1530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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2SK1530 Datasheet (PDF)

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2SK1530

2SK1530 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1530 Unit: mmHigh-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 200 VGate-source voltage VGSS 20 V

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History: MMD60R900QRH | HM2309D | APT5018BLL | IPP60R170CFD7 | IRF135B203 | OSG65R900PF

 

 
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