TK07H90A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK07H90A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO3P
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TK07H90A datasheet
tk07h90a.pdf
TK07H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS IV) TK07H90A Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance Yfs =5.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maxi
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