Справочник MOSFET. TK07H90A

 

TK07H90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK07H90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TK07H90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK07H90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  toshiba
 tk07h90a.pdf pdf_icon

TK07H90A

TK07H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS IV) TK07H90A Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| =5.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maxi

Другие MOSFET... 2SK4107 , 2SK4108 , 2SK4110 , 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , AON7506 , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T .

History: 2SK1830 | IRFR48ZPBF | JCS8N60CC | STP25NM50N | IRFL014NPBF | AMA421P

 

 
Back to Top

 


 
.