TK07H90A - описание и поиск аналогов

 

TK07H90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK07H90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TK07H90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK07H90A даташит

 ..1. Size:247K  toshiba
 tk07h90a.pdf pdf_icon

TK07H90A

TK07H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS IV) TK07H90A Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance Yfs =5.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maxi

Другие MOSFET... 2SK4107 , 2SK4108 , 2SK4110 , 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , IRFB3607 , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.