Справочник MOSFET. TK07H90A

 

TK07H90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK07H90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK07H90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  toshiba
 tk07h90a.pdf pdf_icon

TK07H90A

TK07H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS IV) TK07H90A Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| =5.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maxi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PMN16XNE | SVS70R420DE3TR | NTLUS3A18PZTAG | MDP15N60GTH | IXTZ42N20MA | SI5906DU | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.