TK09H90A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK09H90A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Encapsulados: TO3P
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TK09H90A datasheet
tk09h90a.pdf
TK09H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type( -MOS IV) TK09H90A Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum
Otros transistores... 2SK4108 , 2SK4110 , 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , AON6380 , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C .
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