TK09H90A - описание и поиск аналогов

 

TK09H90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK09H90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TK09H90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK09H90A даташит

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk09h90a.pdf pdf_icon

TK09H90A

TK09H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type( -MOS IV) TK09H90A Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum

Другие MOSFET... 2SK4108 , 2SK4110 , 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , AON6380 , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.