TK09H90A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK09H90A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для TK09H90A
TK09H90A Datasheet (PDF)
tk09h90a.pdf

TK09H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type(-MOS IV) TK09H90A Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 6S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum
Другие MOSFET... 2SK4108 , 2SK4110 , 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , AON7506 , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C .
History: 2SK1494-Z | FDB5690 | FDN8601 | BSP75G | JMSL0406AGQ | HM2310B | 2SK1399
History: 2SK1494-Z | FDB5690 | FDN8601 | BSP75G | JMSL0406AGQ | HM2310B | 2SK1399



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n