TK09H90A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK09H90A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO3P
TK09H90A Datasheet (PDF)
..1. Size:234K toshiba
tk09h90a.pdf
tk09h90a.pdf
TK09H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type(-MOS IV) TK09H90A Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 6S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
