Справочник MOSFET. TK09H90A

 

TK09H90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK09H90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TK09H90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK09H90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk09h90a.pdf pdf_icon

TK09H90A

TK09H90A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type(-MOS IV) TK09H90A Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 6S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum

Другие MOSFET... 2SK4108 , 2SK4110 , 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , IRLZ44N , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C .

History: CS5N80B | KX020N06 | NX138BKS | 2N5517 | VP0109 | NVD5890NL | CEDM7001E

 

 
Back to Top

 


 
.