TK12D60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK12D60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO220
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TK12D60U datasheet
tk12d60u.pdf
TK12D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK12D60U Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 A 9.5 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.36 (typ.) 0.6 0.1 3.65 0.2 High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode V
Otros transistores... 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , CS150N03A8 , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C .
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