TK12D60U Todos los transistores

 

TK12D60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK12D60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TK12D60U Datasheet (PDF)

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TK12D60U

TK12D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK12D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 A 9.50.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) 0.60.1 3.650.2 High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: V

Otros transistores... 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , IRLB4132 , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C .

History: STP4NA90

 

 
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