Справочник MOSFET. TK12D60U

 

TK12D60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK12D60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK12D60U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12D60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  toshiba
 tk12d60u.pdf pdf_icon

TK12D60U

TK12D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK12D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 A 9.50.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) 0.60.1 3.650.2 High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: V

Другие MOSFET... 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , IRLB4132 , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C .

History: SI2323DDS-T1-GE3 | CS4N60A3TDY | KF3N40W | AUIRF2903ZS | WMB072N12HG2 | BLM7002K

 

 
Back to Top

 


 
.