TK12D60U - описание и поиск аналогов

 

TK12D60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK12D60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK12D60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12D60U даташит

 ..1. Size:196K  toshiba
 tk12d60u.pdf pdf_icon

TK12D60U

TK12D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK12D60U Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 A 9.5 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.36 (typ.) 0.6 0.1 3.65 0.2 High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode V

Другие MOSFET... 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , CS150N03A8 , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C .

History: 2SK1057 | 2SK4112

 

 

 

 

↑ Back to Top
.