Справочник MOSFET. TK12D60U

 

TK12D60U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK12D60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK12D60U

 

 

TK12D60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  toshiba
 tk12d60u.pdf

TK12D60U TK12D60U

TK12D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK12D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 A 9.50.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) 0.60.1 3.650.2 High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top