TK16H60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK16H60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK16H60C
TK16H60C Datasheet (PDF)
tk16h60c.pdf
TK16H60C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) TK16H60C Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0. 32 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 11S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma
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Liste
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