TK16H60C Todos los transistores

 

TK16H60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK16H60C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TK16H60C Datasheet (PDF)

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TK16H60C

TK16H60C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK16H60C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 32 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma

Otros transistores... TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , IRFP450 , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T .

History: WMB80P04TS | SM1A16PSV | SI4447ADY | PJM3407PSA | STC4614 | IXFT50N50P3 | SI3476DV

 

 
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