TK16H60C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK16H60C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TK16H60C datasheet

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TK16H60C

TK16H60C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) TK16H60C Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0. 32 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 11S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma

Otros transistores... TK09H90A, TK100F04K3L, TK12D60U, TK13H90A1, TK150F04K3L, TK15D60U, TK15H50C, TK15J60T, 5N60, TK17A25D, TK19H50C, TK20A20D, TK20A60T, TK20D60T, TK20D60U, TK20H50C, TK20J60T