TK16H60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK16H60C
Código: TK16H60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3P
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TK16H60C Datasheet (PDF)
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TK16H60C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK16H60C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 32 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma
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