TK16H60C - описание и поиск аналогов

 

TK16H60C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK16H60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TK16H60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16H60C даташит

 ..1. Size:207K  toshiba
 tk16h60c.pdf pdf_icon

TK16H60C

TK16H60C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) TK16H60C Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0. 32 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 11S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma

Другие MOSFET... TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , AO4407 , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.