Справочник MOSFET. TK16H60C

 

TK16H60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK16H60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TK16H60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16H60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  toshiba
 tk16h60c.pdf pdf_icon

TK16H60C

TK16H60C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK16H60C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 32 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma

Другие MOSFET... TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , P60NF06 , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T .

History: AO4916L | IXFB100N50P | 2SK1989 | NTMFS5C682NL | IRLR3717 | SSM6H19NU

 

 
Back to Top

 


 
.