TK19H50C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK19H50C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TK19H50C datasheet

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TK19H50C

TK19H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) TK19H50C Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance R = 0. 25 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 14 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode V = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) th DS D M

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