TK19H50C Todos los transistores

 

TK19H50C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK19H50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TK19H50C datasheet

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TK19H50C

TK19H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) TK19H50C Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance R = 0. 25 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 14 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode V = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) th DS D M

Otros transistores... TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , 4N60 , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 .

History: APG80N10T

 

 
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