TK19H50C Todos los transistores

 

TK19H50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK19H50C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 70 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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TK19H50C Datasheet (PDF)

0.1. tk19h50c.pdf Size:343K _toshiba

TK19H50C
TK19H50C

TK19H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK19H50C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : R = 0. 25 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 14 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode : V = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) th DS DM

Otros transistores... TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , 2SK3568 , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 .

 

 
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