TK19H50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK19H50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK19H50C

TK19H50C Datasheet (PDF)

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tk19h50c.pdf

TK19H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK19H50C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : R = 0. 25 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 14 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode : V = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) th DS DM

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Liste

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