TK19H50C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK19H50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для TK19H50C
TK19H50C Datasheet (PDF)
tk19h50c.pdf
TK19H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK19H50C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : R = 0. 25 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 14 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode : V = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) th DS DM
Другие MOSFET... TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , 4N60 , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 .
History: FDP603AL | YJD80N03A | TK17A25D | 2SK2972 | FDP6035AL
History: FDP603AL | YJD80N03A | TK17A25D | 2SK2972 | FDP6035AL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet


