Справочник MOSFET. TK19H50C

 

TK19H50C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK19H50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для TK19H50C

 

 

TK19H50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  toshiba
 tk19h50c.pdf

TK19H50C TK19H50C

TK19H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK19H50C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : R = 0. 25 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 14 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode : V = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) th DS DM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top