TK19H50C - описание и поиск аналогов

 

TK19H50C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK19H50C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TK19H50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK19H50C даташит

 ..1. Size:343K  toshiba
 tk19h50c.pdf pdf_icon

TK19H50C

TK19H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) TK19H50C Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance R = 0. 25 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 14 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode V = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) th DS D M

Другие MOSFET... TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , 4N60 , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.