TK20D60T Todos los transistores

 

TK20D60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK20D60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TK20D60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  toshiba
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TK20D60T

TK20D60T NMOS (DTMOS) TK20D60T : mm10.00.3 A 9.50.2 0.60.1 : RDS (ON) = 0.165 () 3.650.2 : Yfs = 12 S () : IDSS = 100A (

 7.1. Size:196K  toshiba
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TK20D60T

TK20D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.0 0.3 A 9.5 0.2 0.60.1 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.165 (typ.) 3.65 0.2 High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement

Otros transistores... TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , 5N65 , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 .

History: SIF12N65C | FHP80N07B | SFF9140-28 | 2SK1496 | NCEP029N10 | SSH7N80A | WMO053NV8HGS

 

 
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