TK20D60T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK20D60T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3800 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: TO220
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TK20D60T datasheet
tk20d60u.pdf
TK20D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK20D60U Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 A 9.5 0.2 0.6 0.1 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.165 (typ.) 3.65 0.2 High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement
Otros transistores... TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , 2SK3568 , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 .
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