TK20D60T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK20D60T
Маркировка: K20D60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 3800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220
TK20D60T Datasheet (PDF)
tk20d60t.pdf
TK20D60T NMOS (DTMOS) TK20D60T : mm10.00.3 A 9.50.2 0.60.1 : RDS (ON) = 0.165 () 3.650.2 : Yfs = 12 S () : IDSS = 100A (
tk20d60u.pdf
TK20D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.0 0.3 A 9.5 0.2 0.60.1 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.165 (typ.) 3.65 0.2 High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
