Справочник MOSFET. TK20D60T

 

TK20D60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK20D60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK20D60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20D60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  toshiba
 tk20d60t.pdf pdf_icon

TK20D60T

TK20D60T NMOS (DTMOS) TK20D60T : mm10.00.3 A 9.50.2 0.60.1 : RDS (ON) = 0.165 () 3.650.2 : Yfs = 12 S () : IDSS = 100A (

 7.1. Size:196K  toshiba
 tk20d60u.pdf pdf_icon

TK20D60T

TK20D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.0 0.3 A 9.5 0.2 0.60.1 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.165 (typ.) 3.65 0.2 High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement

Другие MOSFET... TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , 5N65 , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 .

History: WMK023N08HGS

 

 
Back to Top

 


 
.