TK20D60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK20D60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de TK20D60U MOSFET
TK20D60U Datasheet (PDF)
tk20d60u.pdf
TK20D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.0 0.3 A 9.5 0.2 0.60.1 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.165 (typ.) 3.65 0.2 High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement
tk20d60t.pdf
TK20D60T NMOS (DTMOS) TK20D60T : mm10.00.3 A 9.50.2 0.60.1 : RDS (ON) = 0.165 () 3.650.2 : Yfs = 12 S () : IDSS = 100A (
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