TK20D60U. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK20D60U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TK20D60U
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK20D60U даташит
tk20d60u.pdf
TK20D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK20D60U Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 A 9.5 0.2 0.6 0.1 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.165 (typ.) 3.65 0.2 High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement
Другие MOSFET... TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , 10N65 , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 .
History: AP3P7R0EH | WMQ37N03T1 | AOTF9N90 | HY3410MF | MEE4298T | S2N7002K | HD830
History: AP3P7R0EH | WMQ37N03T1 | AOTF9N90 | HY3410MF | MEE4298T | S2N7002K | HD830
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06