TK20H50C Todos los transistores

 

TK20H50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK20H50C

Código: TK20H50C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 70 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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TK20H50C Datasheet (PDF)

1.1. tk20h50c.pdf Size:228K _toshiba2

TK20H50C
TK20H50C

TK20H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) TK20H50C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 23Ω (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 14 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M

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