TK20H50C - описание и поиск аналогов

 

TK20H50C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK20H50C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TK20H50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20H50C даташит

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk20h50c.pdf pdf_icon

TK20H50C

TK20H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) TK20H50C Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0. 23 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 14 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M

Другие MOSFET... TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , 5N60 , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 .

History: EMF03N02HR | XP161A11A1PR-G | 2SK2602 | 15N12

 

 

 

 

↑ Back to Top
.