TK40A10N1 Todos los transistores

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TK40A10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK40A10N1

Código: K40A10N1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 520 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0082 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220SIS

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TK40A10N1 Datasheet (PDF)

1.1. tk40a10n1.pdf Size:233K _toshiba2

TK40A10N1
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TK40A10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) TK40A10N1 TK40A10N1 TK40A10N1 TK40A10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V) (3) Enha

3.1. tk40a10k3 en datasheet 090929.pdf Size:202K _toshiba2

TK40A10N1
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TK40A10K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS?) TK40A10K3 Switching Regulator Application Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 11.5 m? (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 80 S Low leakage current: IDSS = 10 ?A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ratings

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