TK40D10J1 Todos los transistores

 

TK40D10J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK40D10J1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de TK40D10J1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK40D10J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  toshiba
 tk40d10j1.pdf pdf_icon

TK40D10J1

TK40D10J1 www.DataSheet4U.comTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK40D10J1 Switching Regulator Applications Unit: mm 10.00.3 A 9.50.2 0.60.1 Small gate charge: Qg = 76nC (typ.) 3.650.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 90 S

Otros transistores... TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , 7N60 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 .

History: IRLI2910PBF | STH260N6F6-6 | IRL8114 | WMK20N50D1 | WTM2301 | PTA20N50A | FTU04N60B

 

 
Back to Top

 


 
.