TK40D10J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK40D10J1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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TK40D10J1 Datasheet (PDF)

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tk40d10j1.pdf

TK40D10J1 www.DataSheet4U.comTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK40D10J1 Switching Regulator Applications Unit: mm 10.00.3 A 9.50.2 0.60.1 Small gate charge: Qg = 76nC (typ.) 3.650.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 90 S

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: