TK40D10J1 Todos los transistores

 

TK40D10J1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK40D10J1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO220

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TK40D10J1 datasheet

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TK40D10J1

TK40D10J1 www.DataSheet4U.com TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK40D10J1 Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 A 9.5 0.2 0.6 0.1 Small gate charge Qg = 76nC (typ.) 3.65 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 90 S

Otros transistores... TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , AO3407 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 .

History: DMP4047SK3 | BSZ15DC02KD | JMSH1008PK

 

 

 

 

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