TK40D10J1 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK40D10J1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK40D10J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK40D10J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40D10J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  toshiba
 tk40d10j1.pdf pdf_icon

TK40D10J1

TK40D10J1 www.DataSheet4U.comTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK40D10J1 Switching Regulator Applications Unit: mm 10.00.3 A 9.50.2 0.60.1 Small gate charge: Qg = 76nC (typ.) 3.650.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 90 S

Другие MOSFET... TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , AO3407 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 .

 

 
Back to Top

 


 
.