TK50F15J1 Todos los transistores

 

TK50F15J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK50F15J1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SM
     - Selección de transistores por parámetros

 

TK50F15J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  toshiba
 tk50f15j1.pdf pdf_icon

TK50F15J1

TK50F15J1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK50F15J1TK50F15J1TK50F15J1TK50F15J11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 22 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | STP55N06L | AUIRF2804

 

 
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