TK50F15J1 Todos los transistores

 

TK50F15J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK50F15J1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SM
 

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TK50F15J1 Datasheet (PDF)

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TK50F15J1

TK50F15J1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK50F15J1TK50F15J1TK50F15J1TK50F15J11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 22 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (V

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History: TMAN20N50A | FMI20N50E

 

 
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