TK50F15J1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK50F15J1
Маркировка: K50F15J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 640 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO220SM
TK50F15J1 Datasheet (PDF)
..1. Size:322K toshiba
tk50f15j1.pdf
tk50f15j1.pdf
TK50F15J1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK50F15J1TK50F15J1TK50F15J1TK50F15J11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 22 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
