TK50F15J1 - описание и поиск аналогов

 

TK50F15J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK50F15J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO220SM

Аналог (замена) для TK50F15J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50F15J1 даташит

 ..1. Size:322K  toshiba
 tk50f15j1.pdf pdf_icon

TK50F15J1

TK50F15J1 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TK50F15J1 TK50F15J1 TK50F15J1 TK50F15J1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 22 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (V

Другие MOSFET... TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , 20N50 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.