TK55D10J1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK55D10J1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Encapsulados: TO220
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TK55D10J1 datasheet
tk55d10j1.pdf
TK55D10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK55D10J1 Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 High-Speed switching A 9.5 0.2 0.6 0.1 Low gate charge Qg = 110 nC (typ.) 3.65 0.2 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 8.4 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 110 S (t
Otros transistores... TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , IRF520 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 .
History: UPA1727G | DMP56D0UFB
History: UPA1727G | DMP56D0UFB
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