TK55D10J1 Todos los transistores

 

TK55D10J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK55D10J1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de TK55D10J1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK55D10J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  toshiba
 tk55d10j1.pdf pdf_icon

TK55D10J1

TK55D10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK55D10J1 Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 High-Speed switchingA 9.50.2 0.60.1 Low gate charge: Qg = 110 nC (typ.) 3.650.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 8.4 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (t

Otros transistores... TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , STF13NM60N , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 .

History: STD20N06-1 | WSF3087 | WML53N65F2 | SDT02N02 | BSP220 | SM4382NSKP | TK42A12N1

 

 
Back to Top

 


 
.