Справочник MOSFET. TK55D10J1

 

TK55D10J1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK55D10J1
   Маркировка: K55D10J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK55D10J1

 

 

TK55D10J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  toshiba
 tk55d10j1.pdf

TK55D10J1 TK55D10J1

TK55D10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK55D10J1 Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 High-Speed switchingA 9.50.2 0.60.1 Low gate charge: Qg = 110 nC (typ.) 3.650.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 8.4 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (t

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top