Справочник MOSFET. TK55D10J1

 

TK55D10J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK55D10J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK55D10J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK55D10J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  toshiba
 tk55d10j1.pdf pdf_icon

TK55D10J1

TK55D10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK55D10J1 Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 High-Speed switchingA 9.50.2 0.60.1 Low gate charge: Qg = 110 nC (typ.) 3.650.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 8.4 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (t

Другие MOSFET... TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , CS150N03A8 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 .

History: HRLU1B8N10K

 

 
Back to Top

 


 
.