TK55D10J1 - описание и поиск аналогов

 

TK55D10J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK55D10J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK55D10J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK55D10J1 даташит

 ..1. Size:171K  toshiba
 tk55d10j1.pdf pdf_icon

TK55D10J1

TK55D10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK55D10J1 Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 High-Speed switching A 9.5 0.2 0.6 0.1 Low gate charge Qg = 110 nC (typ.) 3.65 0.2 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 8.4 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 110 S (t

Другие MOSFET... TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , IRF520 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.