TK65E10N1 Todos los transistores

 

TK65E10N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK65E10N1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: TO220

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TK65E10N1 datasheet

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TK65E10N1

TK65E10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK65E10N1 TK65E10N1 TK65E10N1 TK65E10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) (3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
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TK65E10N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK65E10N1 ITK65E10N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 4.8m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIM

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