Справочник MOSFET. TK65E10N1

 

TK65E10N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK65E10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK65E10N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65E10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk65e10n1.pdf pdf_icon

TK65E10N1

TK65E10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK65E10N1TK65E10N1TK65E10N1TK65E10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk65e10n1.pdf pdf_icon

TK65E10N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK65E10N1ITK65E10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 4.8m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , AON6380 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 .

History: SST4393 | EM6M2

 

 
Back to Top

 


 
.