TK65E10N1 - описание и поиск аналогов

 

TK65E10N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK65E10N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK65E10N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65E10N1 даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk65e10n1.pdf pdf_icon

TK65E10N1

TK65E10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK65E10N1 TK65E10N1 TK65E10N1 TK65E10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) (3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk65e10n1.pdf pdf_icon

TK65E10N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK65E10N1 ITK65E10N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 4.8m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , IRFZ24N , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.