TK75J04K3Z Todos los transistores

 

TK75J04K3Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK75J04K3Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2060 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de TK75J04K3Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK75J04K3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk75j04k3z.pdf pdf_icon

TK75J04K3Z

TK75J04K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK75J04K3ZTK75J04K3ZTK75J04K3ZTK75J04K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

Otros transistores... TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , IRF520 , TK80D08K3 , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H .

History: RUH30J95M | FQB14N15 | NTMS3P03R2 | BML6401

 

 
Back to Top

 


 
.