Справочник MOSFET. TK75J04K3Z

 

TK75J04K3Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK75J04K3Z
   Маркировка: K75J04K3Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 190 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2060 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для TK75J04K3Z

 

 

TK75J04K3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk75j04k3z.pdf

TK75J04K3Z TK75J04K3Z

TK75J04K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK75J04K3ZTK75J04K3ZTK75J04K3ZTK75J04K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top