Справочник MOSFET. TK75J04K3Z

 

TK75J04K3Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK75J04K3Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2060 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TK75J04K3Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK75J04K3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk75j04k3z.pdf pdf_icon

TK75J04K3Z

TK75J04K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK75J04K3ZTK75J04K3ZTK75J04K3ZTK75J04K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

Другие MOSFET... TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , IRF520 , TK80D08K3 , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H .

 

 
Back to Top

 


 
.