TK80D08K3 Todos los transistores

 

TK80D08K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK80D08K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO220

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TK80D08K3 datasheet

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TK80D08K3

TK80D08K3 www.DataSheet4U.com TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80D08K3 Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 3.6 m (typ.) A 9.5 0.2 0.6 0.1 High forward transfer admittance Yfs = 200 S 3.65 0.2 Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) E

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History: CPH3459 | MEE4294K | BTS140A | DN3135 | IGT60R070D1

 

 

 

 

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