Справочник MOSFET. TK80D08K3

 

TK80D08K3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK80D08K3
   Маркировка: K80D08K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 175 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK80D08K3

 

 

TK80D08K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  toshiba
 tk80d08k3.pdf

TK80D08K3 TK80D08K3

TK80D08K3 www.DataSheet4U.com TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80D08K3 Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.6 m (typ.) A 9.50.2 0.60.1 High forward transfer admittance: |Yfs| = 200 S 3.650.2 Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) E

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top