TK80D08K3 - описание и поиск аналогов

 

TK80D08K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK80D08K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK80D08K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80D08K3 даташит

 ..1. Size:199K  toshiba
 tk80d08k3.pdf pdf_icon

TK80D08K3

TK80D08K3 www.DataSheet4U.com TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80D08K3 Switching Regulator Applications Unit mm 10.0 0.3 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 3.6 m (typ.) A 9.5 0.2 0.6 0.1 High forward transfer admittance Yfs = 200 S 3.65 0.2 Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) E

Другие MOSFET... TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , AO3400A , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H , TPC6007-H .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.