Справочник MOSFET. TK80D08K3

 

TK80D08K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK80D08K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK80D08K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80D08K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  toshiba
 tk80d08k3.pdf pdf_icon

TK80D08K3

TK80D08K3 www.DataSheet4U.com TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80D08K3 Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.6 m (typ.) A 9.50.2 0.60.1 High forward transfer admittance: |Yfs| = 200 S 3.650.2 Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) E

Другие MOSFET... TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , RU6888R , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H , TPC6007-H .

History: MTH6N100E | IRFR4615PBF | HYG400P10LR1U

 

 
Back to Top

 


 
.