TK8B50D Todos los transistores

 

TK8B50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK8B50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220NIS
 

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TK8B50D Datasheet (PDF)

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TK8B50D

TK8B50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK8B50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.7 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolu

Otros transistores... TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , IRFZ46N , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H , TPC6007-H , TPC6101 .

History: BSC065N06LS5 | SWB075R08E7T | RU6H7R | BSN20 | WMK110N20HG2 | AS2318 | RUQ050N02TR

 

 
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