Справочник MOSFET. TK8B50D

 

TK8B50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8B50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220NIS
 

 Аналог (замена) для TK8B50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8B50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk8b50d.pdf pdf_icon

TK8B50D

TK8B50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK8B50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.7 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolu

Другие MOSFET... TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , IRF730 , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H , TPC6007-H , TPC6101 .

History: SI7309DN | ISCNH339D | CS6N80A0H | STI33N65M2 | IRFZ48V | NTR2101PT1G | NCEP060N10F

 

 
Back to Top

 


 
.