TK8B50D - описание и поиск аналогов

 

TK8B50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK8B50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220NIS

Аналог (замена) для TK8B50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8B50D даташит

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk8b50d.pdf pdf_icon

TK8B50D

TK8B50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK8B50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.7 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolu

Другие MOSFET... TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , IRFB31N20D , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H , TPC6007-H , TPC6101 .

History: MEE4294K-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.