TK9A20DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK9A20DA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO220SIS
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TK9A20DA datasheet
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TK9A20DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK9A20DA TK9A20DA TK9A20DA TK9A20DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.26 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V) (3) Enhancement mode Vth =
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INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK9A20DA ITK9A20DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.26 (typ.) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , TK8B50D , STP65NF06 , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H , TPC6007-H , TPC6101 , TPC6102 .
History: TK39J60W
History: TK39J60W
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