Справочник MOSFET. TK9A20DA

 

TK9A20DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK9A20DA
   Маркировка: K9A20DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS

 Аналог (замена) для TK9A20DA

 

 

TK9A20DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  toshiba
 tk9a20da.pdf

TK9A20DA TK9A20DA

TK9A20DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK9A20DATK9A20DATK9A20DATK9A20DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.26 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk9a20da.pdf

TK9A20DA TK9A20DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A20DAITK9A20DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.26 (typ.)Enhancement mode:Vth = 1.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top