TPC8003 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPC8003
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: SOP8
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TPC8003 datasheet
tpc8003.pdf
TPC8003 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8003 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit mm Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 5.4 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 21 S (typ.) fs Low leakage current
tpc8004.pdf
TPC8004 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) TPC8004 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 37 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 6 S (typ.) fs Low leakage current
tpc8001.pdf
TPC8001 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) TPC8001 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 15 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 11 S (typ.) fs Low leakage current
Otros transistores... TPC6102 , TPC6104 , TPC6105 , TPC6106 , TPC6107 , TPC6108 , TPC6201 , TPC8001 , 60N06 , TPC8004 , TPC8006-H , TPC8009-H , TPC8010-H , TPC8012-H , TPC8013-H , TPC8014 , TPC8016-H .
History: MDI1752TH | SE4060GB | APT56F60L | HM45N02D
History: MDI1752TH | SE4060GB | APT56F60L | HM45N02D
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