TPC8009-H Todos los transistores

 

TPC8009-H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPC8009-H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOP8

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TPC8009-H datasheet

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TPC8009-H

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TPC8009-H

TPC8004 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) TPC8004 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 37 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 6 S (typ.) fs Low leakage current

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TPC8009-H

TPC8001 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) TPC8001 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 15 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 11 S (typ.) fs Low leakage current

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TPC8009-H

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History: SMG2340N | MDF4N65BTH | SUM110P08-11 | MDF4N60TP | H90N71P | HM4503 | APM4425K

 

 

 

 

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